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STD100NH02LT4中文资料

STD100NH02LT4图片

STD100NH02LT4外观图

  • 大小:474KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:STripFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):24V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.8 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:84nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3940pF @ 15V
  • 功率 - 最大:100W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:497-4100-6

STD100NH02LT4供应商

更新时间:2023-01-12 08:09:56
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